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中車時(shí)代半導(dǎo)體攜多款產(chǎn)品亮相PCIM Europe 2018
點(diǎn)擊次數(shù):1648  更新時(shí)間:2019-10-08  【打印此頁(yè)】  【關(guān)閉
  6月5日至6月7日,歐洲電力電子及應(yīng)用領(lǐng)域、智能運(yùn)動(dòng)和電能質(zhì)量領(lǐng)先的展覽及會(huì)議,也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會(huì)PCIM Europe 2018在德國(guó)紐倫堡國(guó)際展覽中心隆重舉辦,中車時(shí)代半導(dǎo)體攜多款產(chǎn)品以全新的風(fēng)格驚艷亮相,吸引了眾多行業(yè)專家和客戶駐足交流,反響強(qiáng)烈。

  會(huì)上,中車時(shí)代半導(dǎo)體發(fā)布了針對(duì)工業(yè)變頻、新能源、電動(dòng)汽車和電力行業(yè)推出的中低壓IGBT M系列、H系列和S系列模塊,電壓涵蓋750V、1200V和1700V, 電流涵蓋300A至1400A,為各應(yīng)用領(lǐng)域提供全系列和極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品;針對(duì)HVDC、STATCOM和大功率傳動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域推出的Flexpack壓接式IGBT器件,電壓等級(jí)4500V, 電流等級(jí)涵蓋800A至3000A, 適用各種嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境。產(chǎn)品引起了眾多客戶及國(guó)內(nèi)外同行的濃厚興趣,部分客戶還針對(duì)后續(xù)的合作進(jìn)行了深入交流。

  同時(shí),中車時(shí)代電氣在此次展會(huì)上還重點(diǎn)推出了IGBT芯片業(yè)務(wù)。其推出的6英寸和8英寸晶圓分別來(lái)自英國(guó)和中國(guó)工廠,基于TMOS+增強(qiáng)型溝槽柵芯片技術(shù)和DMOS+增強(qiáng)型平面柵芯片技術(shù),為眾多模塊封裝廠家提供了技術(shù)領(lǐng)先和性價(jià)比優(yōu)良的芯片解決方案,成為中車時(shí)代半導(dǎo)體展臺(tái)上的又一亮點(diǎn)。

  此外,中車時(shí)代半導(dǎo)體推出的基于雙面散熱技術(shù)的HIPA系列IGBT集成功率模塊、1200V至3300V的TO封裝SBD、混合IGBT模塊和純SiC MOSFET模塊等產(chǎn)品也亮相此次展會(huì),收受到了參展客戶和展商的一致好評(píng)。通過(guò)PCIM 2018 Europe展會(huì), 中車時(shí)代半導(dǎo)體成功向行業(yè)主要客戶展示了其研發(fā)創(chuàng)新和生產(chǎn)制造能力,通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)的交流和走訪,使客戶更加深入的了解事業(yè)部的產(chǎn)品技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)化規(guī)模和市場(chǎng)影響力,為進(jìn)一步打開國(guó)際市場(chǎng)奠定了良好的基礎(chǔ)。
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